Lapisan Vakum Titanium Gr1 Sputtering Tube Target 133OD * 125ID * 840L

Target Tabung Titanium Titanium Gr1 ASTM B861-06 a 133OD * 125ID * 840L Pelapisan Vakum Target Sputtering

Tren perkembangan teknologi material dari material target sangat erat kaitannya dengan tren perkembangan teknologi film tipis dari industri aplikasi hilir, seiring dengan penerapan peningkatan teknis industri pada produk atau komponen film, teknologi target juga harus diubah, sangat untuk menggantikan layar panel datar asli (FPD) dalam beberapa tahun terakhir, yang terutama terdiri dari monitor komputer tabung sinar katoda (CRT) dan pasar televisi.Ini juga akan sangat meningkatkan teknologi dan permintaan pasar bahan target ITO.Selain teknologi penyimpanan.Permintaan akan hard disk berdensitas tinggi, berkapasitas besar, dan disk berdensitas tinggi yang dapat dihapus terus meningkat.Semua ini mengakibatkan perubahan permintaan industri aplikasi untuk bahan target.Di bawah ini kami akan memperkenalkan bidang aplikasi utama bahan target dan tren pengembangan bahan target di bidang ini masing-masing.
Di antara semua industri aplikasi, industri semikonduktor memiliki persyaratan kualitas paling ketat untuk film sputtering target.Saat ini, chip silikon 12 inci (300 epistaksis) telah dibuat.Interkoneksi menyusut lebarnya.Produsen wafer membutuhkan ukuran besar, kemurnian tinggi, segregasi rendah dan butiran halus, yang membutuhkan struktur mikro yang lebih baik dari target yang diproduksi.Diameter partikel kristal dan keseragaman bahan target telah dianggap sebagai faktor kunci yang mempengaruhi laju deposisi film tipis.Selain itu, kemurnian film sangat terkait dengan kemurnian bahan target.Di masa lalu, kemurnian target tembaga 99,995% (4N5) mungkin dapat memenuhi persyaratan proses 0.35pm dari produsen semikonduktor, tetapi tidak dapat memenuhi persyaratan proses 0.25um, dan proses 0.18um dan bahkan 0.13 m .Kemurnian bahan target yang dibutuhkan akan di atas 5 atau bahkan 6 N. Dibandingkan dengan aluminium, tembaga memiliki ketahanan yang lebih tinggi terhadap migrasi listrik dan resistivitas yang lebih rendah, dapat memenuhi!Proses konduktor diperlukan untuk pengkabelan submikron di bawah 0,25um, tetapi membawa masalah lain: kekuatan rekat tembaga yang rendah ke bahan dielektrik organik.Selain itu, mudah bereaksi, yang menyebabkan korosi dan pemutusan interkoneksi tembaga dalam proses penggunaan.Untuk mengatasi masalah ini, lapisan penghalang perlu ditempatkan di antara tembaga dan lapisan dielektrik.Bahan penghalang umumnya menggunakan logam dan senyawa dengan titik leleh tinggi dan resistivitas tinggi, sehingga ketebalan lapisan penghalang harus kurang dari 50 nm, dan kinerja adhesi dengan bahan tembaga dan dielektrik baik.Bahan penghalang untuk interkoneksi tembaga dan interkoneksi aluminium berbeda.Bahan target baru perlu dikembangkan.Bahan target untuk lapisan penghalang interkoneksi tembaga termasuk Ta, W, TaSi, WSi, dll. Tapi Ta dan W adalah logam tahan api.Ini relatif sulit untuk dibuat, dan molibdenum, kromium dan emas lainnya sedang dipelajari sebagai bahan alternatif.

Fitur

1. Kepadatan rendah dan kekuatan tinggi
2. Disesuaikan sesuai dengan gambar yang dibutuhkan oleh pelanggan
3. Ketahanan korosi yang kuat
4. Tahan panas yang kuat
5. Tahan suhu rendah
6. Tahan panas